|
Модераторы: Mazzi |
|
iluxa1810 |
|
|||
Новичок Профиль Группа: Участник Сообщений: 1 Регистрация: 22.12.2014 Репутация: нет Всего: нет |
Пожалуйста ответьте на вопросы Теста.
Заранее благодарю. 1. В усилительном каскаде на биполярном транзисторе с общим эмиттером транзистор в покое должен находится: а) в Области отсечки; б) в нормальной активной области; в) инверсной активной области; г) в области насыщения 2. Каково назначение параллельного соединение резистора Rэ и конденсатора Сэ в эмиттере биполярного транзистора: а) стабилизация рабочей точки; б) образование положительной ОС в эмиттере; в) увеличение коэффициента усиления; г) увеличение входного сопротивления каскада. 3. Амплитудная характеристика усилительного каскада- это зависимость а) Uвых(Uвх); б) Uвх(Uвых); в) Uнагр(Uген) г) Uk(Uб) 4. По амплитудной характеристике можно определить следующие статистические малосигнальные параметры усилителя: а) Ku; б) Rвых; в) Urмакс; г) Kl; Д)Kни. 5. Как изменится амплитудная характеристика, если увеличить сопротивление резистора Rк: а) увеличится наклон характеристики на линейном участке; б) расширится линейный участок; в) ограничение напряжения нагрузки наступит при меньших напряжениях генератора; г) уменьшится наклон характеристики на линейном участке. 6. При увеличении сопротивления нагрузки динамический диапазон усилителя: а) увеличивается; б) уменьшается; в) остается неизменным. 7. При увеличении сопротивления нагрузки от 1 кОм до бессконечности коэффициент усиления по напряжению: а) увеличивается до бесконечности ; б) уменьшается; в) остается неизменным; г) увеличивается до некоторого предельного значения. 8. Нелинейные искажения выходного сигнала вызваны тем, что а) Транзистор имеет нелинейную входную вольтамперную характеристику; б) в схеме усилителя присутствуют разделительные конденсаторы; в) в схеме усилителя образуется отрицательная ОС; г) в схеме усилителя присутствуют реактивные элементы. 9. Спад амлитудно-частотной характеристики на высоких частотах определяется а) наличием фронтов и срезов на выходном сигнале; б) наличием в схеме усилителя разделительных конденсаторов; в) наличием блокирующего конденсатора; г) наличием емкости нагрузки; д) Инерционного транзистора; е) наличием конечного значения фронта выходного сигнала. 10. Нижняя граничная частота усилителя зависит от а) коэффициента усиления по напряжению; б) величины разделительных конденсаторов; в) величины блокирующего конденсатора; г) времени жизни носителей в базе транзистора. 11. Входное сопротивление усилительного каскада увеличивается при а) увеличении сопротивления генератора Rl; б) уменьшении сопротивления базового двигателя R1; в) увеличении сопротивления базового двигателя R2; г) увеличении режимного тока Iэ; д) увеличении коэффициента усиления (передачи) тока базы транзистора B. 12. Выходное сопротивление усилительного каскада увеличивается при а) увеличении сопротивления генератора Rl; б) увеличении коллекторного сопротивления Rk; в) увеличении режимного тока Iэ; г) увеличении коэффициента усиления (передачи) тока базы тразистора B; 13. При отсутствии в схеме усилительного каскада блокирующего конденсатора параметры каскада изменяются следующим образом: а) увеличивается Ku; б) уменьшается Ku; в) Увеличивается Rвх; г) увеличивается Rвых; д) уменьшается Rвх; e) уменьшается нижняя граничная частота. 14. Если нагрузка усилительного каскада имеет емкостную составляющую Cн, то параметры усилителя изменяются следующим образом: а) уменьшается Ku; б) увеличиваются времена нарастания фронта выходного импульса; в) уменьшается верхняя частота; г) увеличивается Rвых. 15. Величина спада плоской вершины импульса измеряется в: а) относительных величинах; б) микросекундах в) вольтах. 16. Нижняя граничная частота определяет следующие искажения выходного сигнала: а) нелинейные искажения; б) фронт нарастания выходного импульса; в) спад плоской вершины выходного импульса; г) инверсию выходного сигнала по сравнению с входным. 17. В эмиттерном повторителе на биполярном транзисторе с общим эмиттером транзистор в покое должен находится: а) в области отсечки; б) в нормальной активной области; в) в инверсной активной области; г) в области насыщения. 18. Условия блокировки эмиттерного повторителя: а) наличие значительной емкости нагрузки; б) отпирающая полярность входного импульса; в) запирающая полярность входного импульса; г) амплитуда входного импульса превышает напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе. 19. Коэффициент усиления по напряжению схемы с общим эмиттером большем, чем коэффициент усиления по напряжению эмиттерного повторителя из-за того, что а) в схеме эмиттерного повторителя отсутствует сопротивление коллектора Rк; б) в схеме эмиттерного повторителя действует глубокая отрицательная ОС; в) в схеме эмиттерного повторителя нагрузка подключается к эмиттеру. 20. При одинаковых транзисторах и режиме по постоянному току схема с ОЭ по сравнению со схемой с ОК имеет: а) большую верзнюю граничную частоту; б) меньшие длительности нарастания фронта выходного импульса; в) меньший спад плоской вершины импульса; г) меньшую нижнюю граничную частоту. |
|||
|
||||
1 Пользователей читают эту тему (1 Гостей и 0 Скрытых Пользователей) | |
0 Пользователей: | |
« Предыдущая тема | Электротехника и схемотехника | Следующая тема » |
|
По вопросам размещения рекламы пишите на vladimir(sobaka)vingrad.ru
Отказ от ответственности Powered by Invision Power Board(R) 1.3 © 2003 IPS, Inc. |