Компания Infineon сообщила о создании трёхмерного многозатворного полевого транзистора (Multi-Gate finFET). Разработчики смогли построить и протестировать структуру из более чем 3000 таких элементов, выполненных по 65-нм технологии.

Сообщается, что новая технология позволила уменьшить площадь, занимаемую транзистором на чипе, на 30%, а ток утечки - в 10 раз, в сравнении с однозатворным планарным транзистором. Использование таких элементов может, к примеру, увеличить срок автономной работы портативных устройств вдвое при использовании 65-нм техпроцесса.

Напомним, что первенство в создании объёмного транзистора принадлежит Intel. Перевод транзисторов в третье измерение - попытка разработчиков спасти закон Мура. Следствием постоянного уменьшения элементной базы являются возрастающие токи утечки и, соответственно, увеличение тепловыделения и энергопотребления. Новая же технология даст возможность производить высокоинтегрированные чипы по технологии 32 нм и ниже.

http://www.infineon.com/
http://www.ixbt.com/