Компании Hitachi и Renesas Technology объявили о разработке новой ячейки памяти, использующей переход между фазовыми состояниями вещества. Важной особенностью новой ячейки является малая потребляемая мощность. 

Технология, о которой идет речь, включает формирование граничного слоя из пентоксида тантала (Ta2O5) под частицей металла, встраиваемой в межслойные соединительные отверстия и соединяющей транзистор MOS и пленку с изменяемым фазовым состоянием. В прототипе новой ячейки памяти, изготовленной по указанной схеме, операция программирования была успешно выполнена с использованием тока силой 100 мкА (ранее требовался ток силой 1 мА) и напряжения 1,5 В. Кроме того, утверждается, что хорошее сцепление между слоем Ta2O5 и пленкой позволит улучшить стабильность памяти при серийном производстве. 

Напомним, память с использованием перехода между фазовыми состояниями – новый тип энергонезависимой памяти, предусматривающей функциональность программирования и чтения. Принцип работы этой памяти построен на использовании джоулевого тепла, вырабатываемого при протекании тока и вызывающего изменения электрического сопротивления пленки из специального материала, переходящего между аморфным состоянием (высокое сопротивление) и кристаллическим (низкое). Разные значения сопротивления соответствуют логическим уровням «0» и «1». По сравнению с существующими типами энергонезависимой памяти, память с изменением фазового состояния имеет более высокую скорость программирования и чтения, увеличенное число циклов записи, меньшую стоимость производства. Еще одним важным преимуществом этой памяти является тот факт, что она хорошо подходит для интеграции в более другие приборы. 

Разработчики ожидают, что разработка новой технологии приведет к прогрессу в области микроконтроллеров со встроенной памятью.

http://www.renesas.com/
http://www.ixbt.com/