Компания Innovative Silicon, разработавшая память Z-RAM, объявила о создании второго поколения этой технологии, которое получило название Z-RAM Gen2. Основные отличия новой памяти – значительный прирост производительности и столь же значительное снижение энергопотребления. 

Практически одновременно было объявлено о заключении контракта с компанией AMD, которая заинтересована в получении лицензии на Z-RAM Gen2. Напомним, ранее AMD приобрела у Innovative Silicon лицензию на первое поколение Z-RAM. 

Ключевое отличие технологии Z-RAM от используемой сейчас памяти SDRAM состоит в том, что для хранения информации в ней не используются конденсаторы. Запись и хранение данных основано на эффекте «плавающего тела» (floating-body), который имеет место в микросхемах, выполненных по технологии SoI (silicon-on-insulator, «кремний-на-диэлектрике»). Как следствие, Z-RAM можно изготавливать в рамках стандартного техпроцесса SoI CMOS. В то же время, благодаря указанному отличию, размер ячейки Z-RAM в несколько раз меньше, чем размер ячейки SDRAM. 

В свою очередь, ячейка Z-RAM Gen2 способна хранить больший заряд, чем это было в ячейке Z-RAM первого поколения. За счет увеличения заряда удалось повысить различимость состояний ячейки (разницу между «нулем» и «единицей») и время хранения информации. В результате, стало возможным значительно повысить скорость чтения и записи, одновременно снизив потребление энергии. Ориентировочно, Z-RAM Gen2 вдвое быстрее, при чтении потребляет на 75% меньше энергии, а при записи - на 90%, по сравнению со своей предшественницей. По оценке разработчика, новая память имеет более широкий круг применений: от приборов, работающих на частотах выше 1 ГГц, до критичных к энергопотреблению приборов для устройств с батарейным питанием. 

К настоящему моменту технология Z-RAM Gen2 успешно опробована на 90-нм техпроцессе, идет тестирование применительно к нормам 65 и 45 нм.

http://www.z-ram.com/
http://www.ixbt.com/