Компании AMD и IBM на Международной конференции по микроэлектронике IEDM в Сан-Франциско поделились планами по выпуску процессоров по 45-нанометровой технологии.

Предполагается, что переход на 45-нанометровый техпроцесс будет сопровождаться внедрением ряда новых методик производства. Речь идет о технологии иммерсионной литографии, диэлектриках со сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, а также технологии "растяжения" транзисторов.

В настоящее время при производстве процессоров применяется традиционная литография, которая, в силу ряда ограничений, препятствует внедрению новых техпроцессов с нормами менее 65 нанометров. Предполагается, что переход на иммерсионную литографию позволит решить данную проблему и ускорить выпуск чипов следующего поколения. Диэлектрики со сверхнизкой диэлектрической проницаемостью (ultra-low-K), в свою очередь, помогут уменьшить паразитную емкость соединений и тем самым увеличить быстродействие микрочипа. Наконец, методика "растяжения" транзисторов теоретически позволит обойти ограничения, связанные с уменьшением размеров элементов при переходе на более совершенные технологии производства процессоров.

AMD и IBM намерены организовать производство первых чипов по 45-нанометровой технологии с применением иммерсионной литографии и ultra-low-K диэлектриков в середине 2008 года. Дальнейшее сотрудничество между компаниями предполагает внедрение 32-нанометрового и 22-нанометрового техпроцессов.

Чуть больше недели назад AMD начала выпуск чипов по 65-нанометровой технологии. В настоящее время по данному техпроцессу изготавливают четыре модели двуядерных чипов Athlon 64 X2 с индексами 5000+, 4800+, 4400+ и 4000+, предназначенные для использования в настольных компьютерах.

13 декабря 2006 года, 16:22
Текст: Владимир Парамонов

Ссылка