По сведениям источника, группа исследователей из института физики китайской академии наук разработала новую магниторезистивную память с произвольным доступом (MRAM). 

Указанная память состоит из массивов ячеек, информация в которых представлена направлениями намагниченности крошечных ферромагнитных элементов. 

В ранее созданных образцах MRAM запись информации выполняется двумя перекрестными импульсами тока, генерирующими магнитное поле, изменяющее намагниченность выбранных элементов, а процесс чтения опирается на туннельный магниторезистивный эффект (TMR). 

Китайские ученые пошли своим путем. Для хранения единиц и нулей они использовали колечки нанометрового размера – своеобразное воплощение на современном уровне магнитной памяти, знакомой специалистам по мейнфреймам шестидесятых годов прошлого века. Внутренний и внешний диаметр колечек составляет около 50 и 100 нм, соответственно. Запись и чтение информации выполняется положительным или отрицательным импульсом тока. 

Исследователи утверждают, что указанный подход поможет снизить энергопотребление и размеры ячейки памяти – решить две проблемы, препятствующие развитию MRAM. Ток записи новой памяти составляет 500-650 мкА, чтения – 10-20 мкА. Ожидается, что дальнейшие доработки позволят снизить ток записи до уровня 100-200 мкА.

http://www.eet.com/
http://www.ixbt.com/