Модераторы: Kagor
  

Поиск:

Ответ в темуСоздание новой темы Создание опроса
> Atmel и CEA-Leti хотят перевести флэш-память на, нанокристаллы 
:(
    Опции темы
Albinos_x
Дата 13.4.2006, 21:43 (ссылка) | (нет голосов) Загрузка ... Загрузка ... Быстрая цитата Цитата


Evil Skynet
****


Профиль
Группа: Комодератор
Сообщений: 3288
Регистрация: 28.5.2004
Где: X-6120400 Y-1 4624650

Репутация: нет
Всего: 108



Как стало известно, один из ведущих разработчиков и производителей полупроводниковых микросхем, Atmel и лаборатория прикладных исследований в области электроники Leti, курируемая французским атомным ведомством (French Atomic Energy Commission, CEA), намерены совместно работать над созданием новой технологии флэш-памяти.

Суть соглашения сводится к закреплению условий сотрудничества, а в качестве направления работ выбрано исследование возможности использования так называемых «нанокристаллов».

Ожидается, что первые результаты совместных усилий Atmel и CEA-Leti будут опубликованы уже до конца текущего года.

Основная идея упомянутой технологии в дальнейшем найдет применение в следующем поколении энергонезависимой памяти, известном под кодовым названием Erevna. Конкретной целью научно-исследовательского проекта является создание технологий изготовления энергонезависимой памяти, в том числе, встраиваемой, по нормам 130, 90 и 65 нм, с перспективой серийного производства в период до 2009 года.

Использование нанокристаллического кремния считается перспективным направлением развития флэш-памяти. В отличие от применяемого сейчас поликристаллического, нанокристаллический кремний в состоянии обеспечить переход к уменьшенным номам техпроцесса без увеличения утечки заряда, являющейся препятствием для сегодняшней технологии.

Грубо говоря, в современной флэш-памяти накопление заряда происходит в слое поликристаллического кремния («плавающий затвор»), что при уменьшении размеров ячейки затрудняет борьбу утечками, к которым приводят дефекты в кристаллической решетке. В нанокристаллическом кремнии заряд накапливается в доменах из нескольких сотен нанокристаллов, каждый из которых имеет диаметр около 50 ангстрем, что позволяет принципиально избавиться от утечек, связанных с наличием «плавающего затвора».

Напомним, 24-Мбитный чип памяти, работающей по описанной схеме, впервые продемонстрировала компания Freescale Semiconductor (дочернее предприятие Motorola), в 2005 году, а 4-Мбитный – компания Motorola, в 2003 году.

http://www.eet.com/
http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml


--------------------
"Кто владеет информацией, тот владеет миром"    
Уинстон Черчилль
PM MAIL ICQ   Вверх
  
Ответ в темуСоздание новой темы Создание опроса
0 Пользователей читают эту тему (0 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)
0 Пользователей:
« Предыдущая тема | Общие вопросы по железу | Следующая тема »


 




[ Время генерации скрипта: 0.0494 ]   [ Использовано запросов: 23 ]   [ GZIP включён ]


Реклама на сайте     Информационное спонсорство

 
По вопросам размещения рекламы пишите на vladimir(sobaka)vingrad.ru
Отказ от ответственности     Powered by Invision Power Board(R) 1.3 © 2003  IPS, Inc.