Тоже пару раз пробовал понять, как он работает, но бестолку. Правда это давно было, счас возможно по-другому, но вот беда - теперь нет времени

Я въезжал в это дело с 11 класса... Поначалу тоже безуспешно, но на втором курсе просто попался толковый препод.

Цитата

Однако в силу того, что БАЗА ОЧЕНЬ ТОНКАЯ, электроны как бы не успевают свернутьк положительному полюсу источника, который подключен к базе и "по инерции" пролетают в коллектор

МАМА!!!
Супертонкая база? ты какую-нить ерунду типа П2 или П9 без крышки видел? нет? жаль... там больше полумиллиметра база... ну даже если микрон - ты на досуге развлекись, посчитай напряжение, при котором электрон "не успеет" свернуть, хотя бы в вакууме...
А в современных транзисторах база - плоская, а коллектор-эмиттер в него "вварены" с одной стороны...

См ниже

Это сообщение отредактировал(а) Амортизатор - 5.9.2005, 11:57

Во-первых, Akina, я написал, что это "научно-популярное" объяснение и не претендует на точность и полноту. Естественно, в реальном транзисторе электроны попадают из эмиттера в коллектор не потому, что "не успевают свернутьк положительному полюсу источника, который подключен к базе и "по инерции" пролетают в коллектор". На самом деле они попадают в коллектор потому, что ТОЛЩИНА БАЗЫ СУЩЕСТВЕННО МЕНЬШЕ ДЛИНЫ СВОБОДНОГО ПРОБЕГА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ ЭМИТТЕРА, и многие электроны просто не успевают рекомбинировать в базе до того, как попасть в коллектор. Я умышленно использовал аналогии, чтобы облегчить понимание, т к многим до лампочки что там - диффузия или рекомбинация, им надо лишь понять в общем принципы работы транзистора.

Насчет придирок по поводу толщины базы - база биполярных транзисторов, на примере которых и шло объяснение, имеют толщину меньше длины диффузионного пробега частиц, т е точно меньше микрона

у меня ещё вопрос
по металлу бегут дырки или электроны ? или дырки только в полупроводнике ?

Цитата(AgereS @ 5.9.2005, 13:25)

или дырки только в полупроводнике

Блин, как бы ответить, чтоб не спошлить?
А какой у тебя полупровод? Акцептор или донор?

Рекомендую прежде чем рассматривать транзистор внимательнейшим образом изучи полупроводники и типы проводимости. Иначе даю 100% гарантию - ничего не поймешь.

1. В металле электроны легко расстаются с атомами кристаллической решетки, т к заряд ядра у них маленький и даже комнатной температуры достаточно для того. чтобы они расстались с атомами и образовали т н "электронный газ". Представь себе кусок медного провода с таким газом. К одному концу подводим + к другому - питания, вдоль провода будет действовать электрическое поле, которое заставит свободные электроны двигатся к плюсу питания. Ток - это упорядоченное движение заряж. частиц, т е в данном проводе будет течь ток. Чем выше температура, тем выше число свободных электронов, но тем выше тепловые колебания атомов кристаллической решетки, эти колебания притормаживают упорядоченное движение электронов, т е ток падает, т е с увелич. темпер. сопротивление металлов увеличивается.

2. В полупроводнике все обстоит иначе. Там тоже есть электроны, освободившиеся от кристаллической решетки, однако при приложение электрического поля они ведут себя иначе. Представь себе 1000 атомов, у ста из этих атомов оторвалось по одному электону, значит есть 100 электронов и 100 дырок - так? При действии поля такой электрон тоже будет двигаться в сторону плюса питания, однако скоро он запрыгнет в какую-либо дырку, попавшуюся на его пути (может и не запрыгн., но это маловер.) В среднем он пролетит путь, равный среднему диффузионному пробегу. Таким образом электроны будут выскакивать из одной дыры. чтобы пролетев каое-то путь снова очутиься в дыре. При этом можно предмтавить, что дыра, в котрой он очутился, переместиась на место той дыры. откуда он вылетел, т е дыры движ. в противоположную сторону - к минусу питания.

А теперь прикинь, что вместо 200 из 1000 атомов поместили атомы с валентностью на единицу больше валентности оставшихся 800 атомов. Значит, у них имеется по одному лишнему электрону, так? Т е ичсло электонов будет больше числа дырок, электоны будут основными носителями, дырки - неосновными. Получается, что число дыр, движ. к минусу, меньше электронов движ-ся к плюсу.
Полупроводник с такой примесью называется полкпроводнико n-типа.
И наоборот, если валентность атомов примеси будет на 1 меньше, будет больше уже дырок. Тогда будет p-тип.

Теперь представь, что p и n тип соединили вместе, к p подвели +,кn - питания. Электроны из n области устремятся к дыракм в p области и через диод пойдет ток. Если наоборот к p подвести - к n+, то электроны из p области, которых там мало, устремяться к дыркам в n-бласти. Электроны в n-области скопятся у края этой области и не будут уходить к +питания. Почему? Да потому, что число электронов, уходящих к + пит. = числу электроно, приходящих к этим электронов и з p области, а оттуда приходит мало! Образуется дополнительный запирающий слой. он будет препятсвовоать прониконовению электронов из п области. Ток будет малым.

наконец то я понял принцип прохождения электрона в полупроводнике, а главное что такое дырка. раньше я не понимал этого слова как такового. электрон мог представить, дырку тоже. а вот прохождение тока в полупроводнике - нет.

Дырка - это абстрактное понятие. Сама по себе это всего лишь освободившееся от электрона место "на орбите" атома и как я уже говороил перемещаться не может. Просто когда электрон вылетает из одной дырки и залетает в другую, считают, что дырка переместилась с того места, куда эл-н залетел туда, откуда он вылетел. Все. Да, в расчетах считается, что они движутся, она это все равно неявно привязано к движению электронов. Это надо понимать.
Однако авторы большинства учебников никак не могут понять, что сразу в это дело въехать непросто. И объясняют работу диода и транзитсора через движение дырок. В результате практически никто не может въехать с первого раза. Если бы делался упор имено на электроны, что интуитивно понятно каждому, удалось бы избежать большой путаницы.
Таким образом работу транзистора надо разбирать по n-p-n типу.

Цитата

эл-н залетел

Оба-на... А срок какой?

Цитата

Ток - это упорядоченное движение заряж. частиц, т е в данном проводе будет течь ток.

Есть новая теория про это. http://kuasar.narod.ru/ideas/electric-theory/#0002, но это совсем другая история...

Приветствую всех! Занимательнейшая ветка форума, скажу я вам. К своему стыду, господа, смею заметить, что все же очень смутно представляю себе физику полупроводников. С ВАХ, способами включения и вообще транзисторной схемотехникой я разобрался. И далеко не последнюю роль в этом сыграла замечательная книга, которую я купил совершенно случайно на раскладке в корпусе ФИВТ-а, по-моему, ждал кого-то. Я ее уже рекомендовал в одной из веток форума, это "Транзисторные цепи" Константин Гомоюнов "БХВ-Петербург" 2002 234 ст. Нет, я и до этого долго занимался радиолюбительством, прослушал (ну до чего же удачное слово ) КПИ-шный курс лекций колоритного С.М.Дяченко (все было ярко, Станислав Мифодиевич рассказывал много по делу и без, о ВАХ, теории цепей, своей и чужой жизни и тут же квантовой физике, в-общем мало кто что понял ). Но как то это все не то, благодаря опыту и, наверное, врожденной любознательности, накопилась тогда уйма вопросов, ответы на которые искал и не находил. Вопреки стараниям высшей школы ( ) цель разобраться с цепями была все же поставлена (как-никак радиолюбитель), вот и начал читать все, что попадалось под руку, много хороших книг, бестселлеры я уже в форуме упоминал, но эта книжечка - шедевр, настоятельно рекомендую.

To:AgereS

По вашему вопросу. Все множество схем включения транзисторов применяется, потому что они теми или иными преимуществами друг перед другом, самое основное - входное и выходное сопротивление.
Коаксиальная линия, резистивный датчик перемещения, электретный микрофон Вашей компьютерной гарнитуры - все это элементы электронных схем, обладающие разным электрическим сопротивлением. Очень во многих случаях сопротивления каскадов должны быть согласованы, речь, правда, идет скорее о случаях передачи мощности

http://avr123.nm.ru/soglasie.htm

, но иногда это очень важно и для регистрации сигналов, например частотный фильтр (каскад который отфильтровывает частоты одного диапазона и пропускает другого) "расстраивается" - теряет свои характеристики, _ если сопротивление его нагрузки не равно расчетному. Почему же нельзя все межкаскадные сопротивления свести к одному? Так и поступили в ВЧ/СВЧ (HF/UHF/VHF/SHF) технике приняв за межкаскадное сопротивление 50 Ом. Но на ВЧ проявляются еще более забавные отличия схем включения транзисторов, например схема с общим эмиттером (ОЭ) хотя и обладает наибольшим усилением по мощности, но заметно уступает схеме в общей базой (ОБ) по устойчивости. А все потому, что паразитная емкость вход-выход (самая страшная паразитная связь в схемотехнике - превращает Ваш усилитель в генератор, кошмар, как проектировщика, так и наладчика) различна. Cбк>Cэк. Поэтому, даже внутри 50 Ом-ных блоков масса "схемотехнических отступлений", и из этих схем (ОЭ,ОБ,ОК и их комбинаций) нет наилучшей. Типа как "кольцо, ножницы, бумага".

To:Амортизатор

Раз Вы пишете, что разобрались с физическими принципами транзистора, у меня к Вам несколько вопросов (будут еще, но постинг и так перерастает в роман эпопею ).
1) Можете ли Вы толково объяснить принцип работы туннельного диода, возможно ли, и если да то как, получить его в "балконной лаборатории" (лямбда-структуру не предлагать).
2) не кремнием единым....окромя всем хорошо известных германия (отходит в прошлое) и арсенидгалия(СВЧ, транзюки будущего), существует ряд "бытовых" соединений элементов образующие тот или иной диод:

борнит + медь
молибденовый блеск + серебро
графит + сталь
железный пирит + медь

Суть вопроса, возможно ли на их основе получить, транзисторы, полевые или биполярные, туннельные диоды и т.д. Если да то "что считать" и что рекомендуете на эту тему почитать?

P.S.: Как-то, большей частью, разговор велся о биполярном транзисторе, а я даже не уверен, есть ли хоть один сейчас в моем компе, их вытесняют полевые...

P.P.S.: Трудно поверить господа, но это факт, есть транзисторы...пневматические. Даже гидравлические есть. Приборчик такой обладающий характеристиками воздухо(гидро-)передачи сходными с ВАХ нормального транзистора. Даже наук такая была "пневмотроника". Основной "+" - абсолютное безразличие к радиации. Думаю понятно, что основной расцвет она пережила на заре холодной войны, когда компы еще были велики, и им никто особо не верил... а вот пневмоавтоматика, видать, должна была нанести ответный удар...